A diferencia de la RAM dinámica convencional, la información almacenada en estos dispositivos permanece segura incluso en caso de un corte eléctrico
Un nuevo tipo de semiconductor permite almacenar datos incluso en apagones-. Un equipo internacional de investigadores de la Universidad de Ciencia y Tecnología de Pekín (USTB) y el Centro de Física de Materiales del CSIC en el País Vasco ha logrado un avance significativo en el desarrollo de materiales para chips de memoria.
Los científicos han conseguido mejorar notablemente las propiedades magnéticas de la ferrita de bismuto, un semiconductor con características similares a los imanes que, además, es capaz de producir electricidad. El descubrimiento abre la puerta a la fabricación de chips de memoria con mayor capacidad y un consumo energético reducido.
El hallazgo se produjo al sustituir parte del oxígeno presente en la ferrita de bismuto por azufre, lo que incrementó la fuerza magnética del material hasta 62 veces. Según Linxing Zhang, uno de los autores principales del estudio, este cambio altera la estructura interna del semiconductor y modifica la forma en que los átomos de hierro se enlazan, lo que se traduce en una mayor imantación.
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Este avance mejora el acoplamiento magnetoeléctrico, es decir, la capacidad del material para controlar simultáneamente sus propiedades eléctricas y magnéticas, lo que resulta clave para el desarrollo de dispositivos de almacenamiento de información más eficientes y económicos. Yue-Wen Fang, investigador del CSIC, destaca que este progreso podría conducir a aplicaciones más baratas y eficaces en el campo de la memoria electrónica.
La ferrita de bismuto es un material que ha sido objeto de estudio durante más de 50 años debido a sus complejas interacciones entre cargas eléctricas, propiedades magnéticas y estructura interna. Su capacidad para mantener separadas las cargas positivas y negativas de forma natural permite que funcione como un interruptor, alternando entre dos estados estables (‘0’ y ‘1’), lo que la hace ideal para memorias de acceso aleatorio no volátiles.
A diferencia de la RAM dinámica convencional, la información almacenada en estos dispositivos permanece segura incluso en caso de un corte eléctrico. Aunque la ferrita de bismuto aún está en fase de desarrollo, los avances recientes en su imantación y en la creación de materiales como el Bi0,5Sm0,5FeO3, que permiten ajustar la tensión interna y alcanzar voltajes récord, abren la posibilidad de memorias multinivel que almacenan más información y mantienen los datos tras apagarse el equipo.
EO // Con informaciòn de: Sinc ES