Científicos chinos han presentado “Poxiao”, una memoria flash que supera en velocidad a cualquier sistema de almacenamiento conocido.
Presentan “Poxiao”, la memoria flash más rápida del planeta-. Investigadores de Fudan University revelan “Poxiao”, una memoria flash capaz de borrar y reescribir datos en solo 400 picosegundos. Este avance podría redefinir el futuro del almacenamiento y la computación en inteligencia artificial.
En un hito tecnológico sin precedentes, científicos chinos han presentado “Poxiao”, una memoria flash que supera en velocidad a cualquier sistema de almacenamiento conocido.
Con una capacidad de escritura y borrado 100 mil veces más rápida que la actual, este dispositivo del tamaño de un grano de arroz promete revolucionar el rendimiento de sistemas de inteligencia artificial y centros de datos.
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¿Qué es Poxiao?
Un prototipo de memoria flash no volátil que logra velocidades de escritura y borrado en 400 picosegundos (un picosegundo = una billonésima de segundo). Supera las limitaciones de velocidad de las memorias flash actuales, acercándose al rendimiento de memorias volátiles como DRAM, pero con persistencia de datos y menor consumo energético.
- Aplicaciones potenciales
Centros de datos de alta demanda - Sistemas de IA con procesamiento en tiempo real
- Dispositivos embebidos de próxima generación
Aunque el prototipo solo almacena kilobytes, su diseño ha sido publicado en la revista Nature, lo que valida su relevancia científica y abre la puerta a futuras versiones comerciales.
EO//Con información de VTV